东芝开发出业界首款2200V双碳化硅SiCMOSFET模块助力工业设备的高效率和小型化

中国上海,2023年8月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

 

 

类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。

 

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。

 

东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

应用:

工业设备

-可再生能源发电系统(光伏发电系统等)

-储能系统

-工业设备用电机控制设备

-高频DC-DC转换器等设备

特性:

-低漏极-源极导通电压(传感器):

VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)

-低开通损耗:

Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

-低关断损耗:

Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

-低寄生电感:

LsPN=12nH(典型值)

主要规格:

注:

[1] 采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。

[2] 测量条件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃

[3] 测量条件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃

[4] 截至2023年8月,东芝对2300V Si模块和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较(2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估)。

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:

MG250YD2YMS3

 

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碳化硅功率器件

 

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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